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GaN(氮化镓)MOS

型号
沟道
VDS
(Max)
VTH
ID
(Max)
RDS
(on)
(Max)
Qg
Qrr
Ciss
Coss
Crss
Tj
Rθjc
Rθja
封装
HMN8N65D
N沟道
650V
1.65V
8A
220
mohm
18nC
50nC
1150pF
25pF
1pF
-55-
150 ℃
4.5℃/W
50℃/W
DFN8*8-2L
HMN20N65
N沟道
650V
1.65V
20A
120
mohm
20nC
46nC
1250pF
48pF
2pF
-55-
150 ℃
1.28℃/W
50℃/W
TO-220
HMN20N65D
N沟道
650V
1.65V
20A
125
mohm
20nC
56nC
1050pF
56pF
2pF
-55-
150 ℃
1.8℃/W
50℃/W
DFN8*8-2L