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低压超级沟槽MOS

型号

沟道

VDS(Max)

VGS

VTH(Typ)

 (Max)

IDM

RDS(on)(Max)

封装

直接替代型号

HMS4354
N沟道
30V
20V
1.6V
30A
90A
1.8mΩ
SOP8
AO4354
HMS4240
N沟道
40V
20V
1.5V
30A
90A
1.4mΩ
SOP8
AO4240/IRF7842/
Si4840BDY/Si4124DY

HMS4438

N沟道

60V

20V

1.8V

10A

60A

12mΩ

SOP8

AO4438/ME4436/Si4436DY
Si4850EY/IRF7478
IRF7478Q/IRF7855/ETM6009

HMS4264

N沟道

60V

20V

1.75V

14A

42A

8.5mΩ

SOP8

AO4264

HMS4260

N沟道

60V

20V

1.7V

20A

130A

4.0mΩ

SOP8

AO4260

HMS4444B
N沟道
80V
20V
2.5V
10A
30A
16mΩ
SOP8
AO4444L/AO4448

HMS4444A

N沟道

80V

20V

2.5V

17A

51A

6.8mΩ

SOP8

AO4444L/AO4448

HMS4444

N沟道

85V

20V

1.8V

15A

60A

7.0mΩ

SOP8

AO4444L/AO4448

HMS4454

N沟道

100V

20V

1.8V

8A

40A

20mΩ

SOP8

AO4454/AO4452/FDS3672

HMS4296

N沟道

100V

20V

1.7V

12A

48A

11.5mΩ

SOP8

AO4296

HMS4294

N沟道

100V

20V

1.7V

14A

56A

8.8mΩ

SOP8

AO4294

HMS4290

N沟道

100V

20V

1.7V

16A

64A

7.9mΩ

SOP8

AO4290

HMS4296B

N沟道

120V

20V

1.7V

12A

48A

10.9mΩ

SOP8

AO4296

HMS4488
N沟道
150V
20V
2V
5A
15A
57mΩ
SOP8
AO4488/FDS86242/
FDS2572/DTM5106

中压大电流超级沟槽MOS

型号

沟道

VDS
(Max)

VGS

VTH

ID
(Max)

IDM

RDS(on)
(Max)

封装 

直接替代型号

HMS90P03D
P
30V
20V
1.5V
90A
300A
5.1mΩ
DFN5X6-8L
AON6405/AON6435/Si7143DP
SiR403EDP/Si7139DP/Si7149ADP
IRFH9310/ME7609D
HMS80P04K
P
40V
20V
1.2V
80A
320A
5.6mΩ
TO-252
ME70P04/IPI70P04/
AOD403/IRF4905
HMS80P05A
P
50V
20V
1.1V
80A
300A
7.6mΩ
TO-220

HMS45N03D

N

30V

20V

1.5V

45A

125A

5.8mΩ

DFN5X6-8L


HMS65N03Q

N

30V

20V

1.5V

65A

260A

1.9mΩ

DFN3X3-8L


HMS85N03ED

N

30V

20V

1.5V

85A

200A

2.7mΩ

DFN5X6-8L

HMS120N03D

N

30V

20V

1.7V

120A

340A

1.95mΩ

DFN5X6-8L

AON6512

HMS170N03D

N

30V

20V

1.5V

170A

400A

1.35mΩ

DFN5X6-8L

AON6406/AON6512
AON6500/AON6560
HMS45N04D
N
40V
20V
1.6V
45A
135A
6mΩ
DFN5X6-8L
AON6236/AON6442

HMS60N04EQ

N/带
ESD
保护

40V

20V

1.5V

60A

240A

3.5mΩ

DFN3X3-8L

AON7140/AON7240/AON7242
HMS65N04Q
N
40V
20V
1.5V
65A
260A
2.2mΩ
DFN3X3-8L
AON7140/AON7240/AON7242
HMS85N04ED
N
40V
20V
1.5V
85A
260A
3mΩ
DFN5X6-8L
AON6590/AON6144/AON6152/4/6

HMS90N04D

N

40V

20V

1.5V

90A

360A

2.2mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144/AON6152/4/6
HMS120N04D
N
40V
20V
1.7V
120A
400A
2.05mΩ
DFN5X6-8L
AON6590/AON6144/AON6152/4/6
HMS135N04D N
40V
20V
2.5V
135A
405A
2.2mΩ
DFN5X6-8L
AON6590/AON6144AON6152/
AON6154/AON6156

HMS150N04D

N

40V

20V

1.7V

50A

400A

1.6mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144

HMS200N04D

N

40V

20V

1.5V

200A

450A

0.85mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144
HMS50N06Q
N
60V
20V
3V
50A
200A
6.5mΩ
DFN3X3-8L

HMS60N06D

N

60V

20V

1.7V

60A

240A

4.0mΩ

DFN5X6-8L

AON6248/AON6266

HMS80N06D

N

60V

20V

1.7V

80A

320A

3.5mΩ

DFN5X6-8L

AON6242/AON6244/AON6246
AON6260/AON6160/AON644

HMS150N06D

N

60V

20V

2.5V

150A

600A

2.8mΩ

DFN5X6-8L

AON6160

HMS50N06/K

N

60V

20V

1.8V

50A

200A

15mΩ

TO-220
TO-252

STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/
SSF6808/AP50N06/PHD50N06/
FQP50N06/FTD50N06
HMS90N06
N
60V
20V
3.0V
90A
360A
6.4mΩ
TO-220
TO-220

HMS3205/K/D

N

60V

20V

1.7V

120A

480A

3.5mΩ

TO-220
TO-252
TO-263

IRF3205/DFP3205/MXP6008/RU3205/
RU6099/MT3205/UF3205/YR3205/
SSF5508/KIA3205/JCS3205C/
JCS110N05/IRF3203/WFP3205

HMS80N85/D

N

80V

20V

3.0V

85A

255A

6.8mΩ

TO-220 
TO-263


HMS85N95/D

N

85V

20V

3.0V

95A

380A

5.4mΩ

TO-220 
TO-263

HMS90N85D
N
85V
20V
3.0V
90A
360A
5.5mΩ
DFN5X6-8L

HMS100N85D

N

85V

20V

2.5V

100A

380A

5.3mΩ

DFN5X6-8L

HMS130N85D
N
85V
20V
3V
130A
520A
3.5mΩ
DFN5X6-8L

HMS140N85
N
85V
20V
3V
140A
560A
3.5mΩ
TO-220

HMS160N85/D
N
85V
20V
3V
160A
640A
2.95mΩ
TO-220
TO-263

HMS18N10Q/D

N

100V

20V

1.8V

18A

72A

20mΩ

DFN3X3-8L
DFN5X6-8L

AON6484/AON6486AON7292/
AON7296/AON7450

HMS40N10D

N

100V

20V

1.7V

40A

160A

7.2mΩ

DFN5X6-8L

AON6224/AON6298

HMS60N10D

N

100V

20V

2.5V

60A

240A

8.5mΩ

DFN5X6-8L

AON6298/AON6450/SiR878ADP/
SiR876ADPSiR882ADP/SiR846ADP/
SiR804DP/SiR870ADP/SiJ470DP/
SM1A06NSKP

HMS60N10DA

N

100V

20V

1.7V

60A

240A

7.2mΩ

DFN5X6-8L

AON6298/AON6450/SiR878ADP/
SiR876ADP/SiR882ADP/SiR846ADP/
SiR804DP/SiR870ADP/SiJ470DP/
SM1A06NSKP
HMS85N10DA
N
100V
20V
1.8V
85A
340A
6.1mΩ
DFN5X6-8L

HMS85N10KA
N
100V
20V
1.8V
85A
320A
6.3mΩ
TO-252

HMS95N10DA
N
100V
20V
1.7V
95A
380A
5.6mΩ
DFN5X6-8L

HMS105N10D

N

100V

20V

2.5V

105A

400A

3.5mΩ

DFN5X6-8L

HMS125N10D
N
100V
20V
2.5V
125A
500A
3.8mΩ
DFN5X6-8L

HMS80N10A/
D/KA/AL

N

100V

20V

1.7V

80A

320A

7.2mΩ

TO-220
TO-263
TO-252
TO-251S

IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510
IRF8010/AOT296/AOT298/AOT412

HMS4030/D

N

100V

20V

2.5V

115A

345A

8.5mΩ

TO-220
TO-263

IRLB4030/IRFB4310
AOT1100/AOT290/AOT410

HMS4030A/DA

N

100V

20V

3.0V

120A

360A

4.5mΩ

TO-220
TO-263

IRLB4030/IRFB4310
AOT1100/AOT290/AOT410

HMS4110T

N

100V

20V

3.0V

180A

720A

3.0mΩ

TO-247

IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
AOT290/AOT410

HMS50N120DA

N

120V

20V

1.7V

50A

200A

10mΩ

DFN5X6-8L

HMS20N15K

N

150V

20V

3.3V

20A

80A

65mΩ

TO-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/
IRFR4615//IRFR18N15D/
AP20N15GH/IRFR24N15D

HMS20N15KA

N

150V

20V

1.9V

20A

80A

56mΩ

TO-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/
IRFR4615/IRFR18N15D
AP20N15GH/IRFR24N15D

HMS45N15K/D

N

150V

20V

3.1V

23A/
-20A

45A

24mΩ

TO-252/
DFN5X6-8L

AON6160

HMS50N15LD

N

150V

20V

2.5V

50A

200A

25mΩ

DFN5X6-8L

AON6160

HMS80N15
N
150V
20V
2.5V
80A
320A
12.5mΩ
TO-220

HMS80N15D
N
150V
20V
3.0V
80A
320A
10mΩ
DFN5X6-8L

HMS110N15

N

135V

20V

2.5V

110A

440A

6.3mΩ

TO-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/IRF3415
IRFB4615/IRFB5615/STP50N15/
IXTH50N15/IRFB4321/G/SUP85N15

HMS15N25K
N
250V
20V
3.5V
15A
60A
200mΩ
TO-252

HMS25N25F
N
250V
20V
3.5V
25A
100A
60mΩ
TO-220F

HMS25N25K
N
250V
20V
3.5V
25A
100A
60mΩ
TO-252

HMS80N25F
N
250V
20V
3.5V
80A
320A
18.5mΩ
TO-220F

HMS80N25D
N 250V
20V
3.5V
80A
320A
16mΩ
TO-263


双N沟道中压大电流超级沟槽MOS

型号

沟道

VDS(Max)

VGS

VTH(Typ)

 (Max)

IDM

RDS(on)(Max)

封装

直接替代型号

HMS35DN10DA

双N沟道

100V

20V

2.0V

35A

140A

18mΩ

DFN5X6-8L


备注:
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项:
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

华之美半导体超级沟槽工艺MOS系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的30V-100V中低压MOS产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比上一代产品降低了45%。新款超级沟槽工艺MOS的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。
 
超级沟槽工艺技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比上一代沟槽型MOSFET产品,超级沟槽工艺技术将器件175度下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C)由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。超级沟槽工艺MOS产品将更适宜于高温严酷环境下的应用!
 
配合先进的封装技术,超级沟槽工艺技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。
 
目前推出的量产品种包含30、40、60、80V、100V的中低压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。
 
特点与优势:
 
· 极低的Rdson                              
· 极低的Qg和Qgd                          
· 极低的FOM(Rdson*Qg)            
· 高温下的电流能力更强
· 快速柔软恢复的体二极管特性    
· 低Crss/Ciss,增强抗EMI能力     
· 高UIS耐量,100%出厂测试           
· 符合RoHS标准
 
应用:
 
· 交流/直流电源的同步整流            
· 直流电机驱动             
· 逆变器           
· 电池充电器和电池保护电路 
· 26V-96V系统中的马达控制                 
· 隔离的直流-直流转换器                            
· 不间断电源