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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号

工作电压

静态电流

I/O拉电流

I/O灌电流

上升时间

下降时间

开延时

关延时

封装 

直接替换

HM2006B

10V-20V/高端
工作电压120V

150uA

0.45A

0.9A

70nS

60nS

120nS

120nS

SOP-8

替代电动车/
平衡车分立元件方案

HM2106

11V-30V/高端
工作电压100V

4.5mA

0.8A

1A

400nS

200nS

300nS

400nS

SOP-8

低压版本IR2106/IR2101

HM2103

11V-30V/高端
工作电压100V

4.5mA

0.8A

1A

400nS

200nS

300nS

400nS

SOP-8

低压版本IR2103/IR2108

HM2103B

2.8V-20V/高端
工作电压600V

5uA

1.0A

1.5A

120nS

80nS

280nS

125nS

SOP-8

IR2103/IR2108

HM2101

10V-20V/高端
工作电压600V

150uA

0.3A

0.6A

90nS

40nS

20nS

20nS

SOP-8

IR2101/IR2106/IR2308

HM2101B

2.8V-20V/高端
工作电压600V

5uA

1.0A

1.5A

120nS

80nS

280nS

125nS

SOP-8

 IR2101/IR2106/IR2308

HM2103C

10V-20V/高端
工作电压180V

300uA

1.0A

1.0A

15nS

15nS

150nS

50nS

SOP-8

3.3V/5V输入逻辑兼容,
高端输出与高端输入同
相,低端输出与低端输
入反相,内置欠压保护
功能,内置直通防止和
100nS死区时间

HM2103D

4.0V-13.2V/
高端工作电压
40V,耐压50V

440uA

1.7A

2.3A

15nS

11nS

160nS

60nS

SOP-8

3.3V/5V输入逻辑兼容,
内置多种防共态导通和
150nS死区时间

HM2104M

3.0V-21V/高
端工作电压
40V,耐压65V

400uA

1.2A

1.8A

30nS

20nS

140nS

70nS

MSOP-10

3.3V/5V输入逻辑兼容,
死区时间可调,通过调
整外部电阻控制死区时
间;带2.8V欠压保护,
防止功率管在过低电压
下工作;集成使能关断
功能,能同时关断高低
通道HO、LO输出;高
端输出与输入同相,低
端输出与输入反相;工
作温度范围:-40-125℃

HM2007

3.3V-5.5V/
高端工作
电压24V

110uA

2.0A

2.0A

80nS

20nS

200nS

80nS

SOP-8
DFN2X2-8

支持3.3V CMOS电平,
采用半桥达林顿管输出
结构,替代无线充电分
立元件方案,大幅提高
良率,提高响应速度,
可以应用于无线充产品


单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号

工作电压

静态电流

I/O拉电流

I/O灌电流

上升时间

下降时间

开延时

关延时

封装 

直接替换

HM2531

5V-18V

0.57mA

0.5A

0.5A

20nS

20nS

200nS

80nS

SOT-25

可推1200V 25A IGBT/
可以驱动IGBT/MOS管/
继电器等各种功率开关/
输入信号与输出信号同相位

HM2117

3V-30V

2mA

1A

1.2A

80nS

20nS

200nS

80nS

SOP-8

兼容IR2117


三相半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号

VCC
工作电压

高端
工作电压

静态
电流

I/O拉
电流

I/O
灌电流

上升
时间

下降
时间

开延时

关延时

封装 

直接替换

HM6103F

4.5V-20V
耐压25V

300V

1.6mA

1.2A

1.5A

600nS

280nS

150nS

50nS

TSSOP-20

FD6287/FD6288独立的三相半桥驱动3.3V/5V/15V输入逻辑兼容,内置9.3V欠压保护功能,防止功率管在过低的电压下工作;内置直通防止和200nS死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件;工作温度范围:-40-85℃