大功率MOS管/IGBT驱动IC_深圳市华之美半导体有限公司

产品分类

联系方式

地址：深圳市福田区福虹路世贸广场A座3408
电话：0755-83679702/3/5/9/10
0755-83674428
传真：0755-83679711
邮箱：manager@hmsemi.com
企业QQ：800083169
(请尽量在企业QQ上聊或留言)
公司官网：www.hmsemi.com
客服电话：400-600-7584

您现在的位置:首页 >产品中心

半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号	工作电压	静态电流	I/O拉电流	I/O灌电流	上升时间	下降时间	开延时	关延时	封装	直接替换
HM2006B	10V-20V/高端工作电压120V	150uA	0.45A	0.9A	70nS	60nS	120nS	120nS	SOP-8	替代电动车/ 平衡车分立元件方案
HM2106	11V-30V/高端工作电压100V	4.5mA	0.8A	1A	400nS	200nS	300nS	400nS	SOP-8	低压版本IR2106/IR2101
HM2103	11V-30V/高端工作电压100V	4.5mA	0.8A	1A	400nS	200nS	300nS	400nS	SOP-8	低压版本IR2103/IR2108
HM2103B	2.8V-20V/高端工作电压600V	5uA	1.0A	1.5A	120nS	80nS	280nS	125nS	SOP-8	IR2103/IR2108
HM2101	10V-20V/高端工作电压600V	150uA	0.3A	0.6A	90nS	40nS	20nS	20nS	SOP-8	IR2101/IR2106/IR2308
HM2101B	2.8V-20V/高端工作电压600V	5uA	1.0A	1.5A	120nS	80nS	280nS	125nS	SOP-8	IR2101/IR2106/IR2308
HM2103C	10V-20V/高端工作电压180V	300uA	1.0A	1.0A	15nS	15nS	150nS	50nS	SOP-8	3.3V/5V输入逻辑兼容，高端输出与高端输入同相，低端输出与低端输入反相，内置欠压保护功能，内置直通防止和 100nS死区时间
HM2103D	4.0V-13.2V/ 高端工作电压 40V，耐压50V	440uA	1.7A	2.3A	15nS	11nS	160nS	60nS	SOP-8	3.3V/5V输入逻辑兼容，内置多种防共态导通和 150nS死区时间
HM2104M	3.0V-21V/高端工作电压 40V，耐压65V	400uA	1.2A	1.8A	30nS	20nS	140nS	70nS	MSOP-10	3.3V/5V输入逻辑兼容，死区时间可调，通过调整外部电阻控制死区时间；带2.8V欠压保护，防止功率管在过低电压下工作；集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO输出；高端输出与输入同相，低端输出与输入反相；工作温度范围：-40-125℃
HM2007	3.3V-5.5V/ 高端工作电压24V	110uA	2.0A	2.0A	80nS	20nS	200nS	80nS	SOP-8 DFN2X2-8	支持3.3V CMOS电平，采用半桥达林顿管输出结构，替代无线充电分立元件方案，大幅提高良率，提高响应速度，可以应用于无线充产品

单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号

工作电压

静态电流

I/O拉电流

I/O灌电流

上升时间

下降时间

开延时

关延时

封装

直接替换

HM2531

5V-18V

0.57mA

0.5A

20nS

200nS

80nS

SOT-25

可推1200V 25A IGBT/

可以驱动IGBT/MOS管/

继电器等各种功率开关/

输入信号与输出信号同相位

HM2117

3V-30V

2mA

1.2A

80nS

20nS

200nS

80nS

SOP-8

兼容IR2117

三相半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号	VCC 工作电压	高端工作电压	静态电流	I/O拉电流	I/O 灌电流	上升时间	下降时间	开延时	关延时	封装	直接替换
HM6103F	4.5V-20V 耐压25V	300V	1.6mA	1.2A	1.5A	600nS	280nS	150nS	50nS	TSSOP-20	FD6287/FD6288独立的三相半桥驱动3.3V/5V/15V输入逻辑兼容，内置9.3V欠压保护功能，防止功率管在过低的电压下工作；内置直通防止和200nS死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件；工作温度范围：-40-85℃