产品搜索:
               
   
 
分类导航
- 按产品分类 -
P沟道低压MOS
N沟道低压MOS
N+P沟道低压MOS
低压超级沟槽MOS
P沟道中压大电流MOS
N沟道中压大电流MOS
中压大电流超级沟槽MOS
高压MOS
高压超结MOS
耗尽型MOS
IGBT
IGBT模块
- 按封装分类 -
SOT-23
SOT-23-3L
SOT-23-6L
SOT-323
SOT-523
SOT-723
SOP8
TSSOP8
SOT-223
SOT-363
SOT-89
TO-252(中压MOS)
TO-252(高压MOS)
TO-251
TO-220(中压MOS)
TO-220 (高压MOS/IGBT)
TO-220F
TO-263
TO-247
TO-3P
TO-92
DFN2X2-6L
DFN3X3-8L
DFN5X6-8L
DFN2X5-6L
DFN1006-3L
联系方式

 
您现在的位置:深圳市华之美半导体有限公司 > TO-92

单N沟道低压MOS场效应管

型号  沟道  VDS
(Max)
 VGS  VTH
(Typ)
ID
(Max) 
 IDM  RDS(on)
(Max)
封装   直接替代型号
HM7000 P沟道 60V 3.0V 0.2A TO-92 2N7000
HM2N10 N沟道 100V 20V 1.8V 2A 5A 210mΩ TO-92 STP2N10/UTC2N10/Si2328
AO3442/IRLML0100/ME2328
HM6N10/R/PR N沟道 100V 20V 1.8V 6.0A 24A 110mΩ T0-92 STP6N10/UTC6N10/AOH3106
AOH3110/IRLL110/SiHLL110
IRFL110/SiHFL110/IRFL4310
HM2N20/R/PR N沟道 200V 20V 3.4V 2A 8A 520mΩ TO-92 STP2N20/RFP2N20/ME2N20
MTD2N20

高压MOS管

型号

沟道

VDS
(Max)

VGS

VTH
(Typ)

ID
(Max)

IDM
(MAX)

RDS(on)
(Max)

封装

直接替代型号

HM1N60

N沟道

600V

30V

3V

1.3A

5A

8.5Ω

TO-92

FQP1N60/FQN1N60/
UTC1N60/STP1N60

HM2N25

N沟道

250V

20V

1.9V

2A

8A

0.95Ω

TO-92

FQP2N25/STP2N25/UTC2N25
PFB2N25/FTP2N25/WFP2N25

 

深圳市华之美半导体有限公司 Copyright © 2005-2012

粤ICP备12016653号