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单P沟道低压MOS场效应管

型号 沟道 VDS
(Max)
VGS VTH
(Typ)
ID
(Max)
IDM RDS(on)
(Max)
封装 直接替代型号
HM6409 P沟道 -20V -12V -0.7V -5.0A -20A 39mΩ SOT23-6L AO6409/A/AO6411/AO6415
HM6401 P沟道 -30V -20V -1V -5.0A -30A 50mΩ SOT23-6L AO6401/Si3481/APM2605/AO6405
Si3455/SI3457/FDC634P/FDC636P

双P沟道低压MOS场效应管

 型号

 沟道

 VDS
(Max)

 VGS

 VTH
(Typ)

 ID
(Max) 

 IDM

 RDS(on)
(Max)

 封装 

 直接替代型号

HM6801

双P沟道

-30V

-20V

-1.6V

-2.5A

-10A

72mΩ

SOT-26

AO6801/AO6801A

HM6803

双P沟道

-20V -12V -0.65V -3A -10A 65mΩ SOT-26 AO6803

单N沟道低压MOS场效应管

型号  沟道  VDS
(Max)
 VGS  VTH
(Typ)
ID
(Max) 
 IDM  RDS(on)
(Max)
封装   直接替代型号
HM6408 N沟道 20V 12V 0.65V 5.5A 22A 22mΩ SOT23-6L AO6408/AO6404/AO6422
HM6400 N沟道 30V 12V 0.9V 6.9A 30A 25mΩ SOT23-6L AO6400/SI3456/AP2602/AO6404

双N沟道低压MOS场效应管

型号  沟道  VDS
(Max)
 VGS  VTH
(Typ)
ID
(Max) 
 IDM  RDS(on)
(Max)
封装   直接替代型号
HM8205 双N沟道 19.5V 10V 0.7V 4A 16A 21mΩ SOT-26 AO8205/CEM8205
APM8205/AP8205
HM8810E 双N沟道
带ESD保护
20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ SOT-26 AO8810/AO8820/AO8822
SSF2418E/SSF2816E
HM8810S/A 双N沟道 20V 12V 0.65V 7A 30A 18mΩ SOT-26 AO8810/AO8820/AO8822
SSF2418E/SSF2816E
HM6800 双N沟道 30V 20V 1.5V 3.6A 15A 40mΩ SOT-26 AO6800/AO6802
AO6804A/AO6810
HM6804 双N沟道 20V 10V 0.7V 3.0A 10A 30mΩ SOT-26 AO6804A
HM7002DM 双N沟道 60V 20V 1.6V 0.115A 0.8A 7.5Ω SOT-26 2N7002DM

N+P沟道低压MOS场效应管

型号  沟道  VDS
(Max)
 VGS  VTH
(Typ)
ID
(Max) 
 IDM  RDS(on)
(Max)
封装   直接替代型号
HM6602 N+P沟道 30V/-30V 20V/-20V 1.5V/-1.6V 3.6A/
-2.5A
15A/
-10A
40mΩ/
72mΩ
SOT23-6L AO6602/AO6604/SI3552
FDC6333/FDC6327/FDC6420
HM6604 N+P沟道 20V/-20V 12V/-12V 0.75/-0.7V 3A/
-3A

13A/
-13A

35/
78mΩ
SOT23-6L AO6604

 

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