产品搜索:
               
   
 
分类导航
- 按产品分类 -
P沟道低压MOS
N沟道低压MOS
N+P沟道低压MOS
低压超级沟槽MOS
P沟道中压大电流MOS
N沟道中压大电流MOS
中压大电流超级沟槽MOS
高压MOS
高压超结MOS
耗尽型MOS
IGBT
IGBT模块
- 按封装分类 -
SOT-23
SOT-23-3L
SOT-23-6L
SOT-323
SOT-523
SOT-723
SOP8
TSSOP8
SOT-223
SOT-363
SOT-89
TO-252(中压MOS)
TO-252(高压MOS)
TO-251
TO-220(中压MOS)
TO-220 (高压MOS/IGBT)
TO-220F
TO-263
TO-247
TO-3P
TO-92
DFN2X2-6L
DFN3X3-8L
DFN5X6-8L
DFN2X5-6L
DFN1006-3L
联系方式

 
您现在的位置:深圳市华之美半导体有限公司 > IGBT模块

IGBT单相半桥模块

型号

沟道

Vces
(Max)

Vges

Vge(th) 
典型值

Ic
(80度)

Icrm
(80度)

Pd
(MAX)

封装

应用领域

SSGG50-12CS1

N-IGBT

1200V

20V

6V

50A

100A

220W

94×34×30.5
模块

AC和DC 电机控制/变频器/
UPS/工业加热电源/电焊机

SSGG75-12CS1

N-IGBT

1200V

20V

6V

75A

150A

220W

94×34×30.5
模块

AC和DC 电机控制/变频器/
UPS/工业加热电源/电焊机

SSGG100-12CS1

N-IGBT

1200V

20V

6V

100A

200A

220W

94×34×30.5
模块

AC和DC 电机控制/变频器/
UPS/工业加热电源/电焊机

SSGG150-12CS2

N-IGBT

1200V

20V

6V

150A

300A

220W

107.5×62×31
模块

AC和DC 电机控制/变频器/
UPS/工业加热电源/电焊机

SSGG200-12CS2

N-IGBT

1200V

20V

6V

200A

400A

220W

107.5×62×31
模块

AC和DC 电机控制/变频器/
UPS/工业加热电源/电焊机

SSGG300-12CS2

N-IGBT

1200V

20V

6V

300A

600A

220W

107.5×62×31
模块

AC和DC 电机控制/变频器/
UPS/工业加热电源/电焊机
优点说明:采用的SPT芯片技术(软穿通),MOS输入控制,采用ABB超薄IGBT芯片,大电流低损耗,更低的拖尾电流,VCE饱和电压更低,正温度系数,更易于并联使用,高开关频率和更低开关损耗,高抗短路能力,优化的EMC特性,模块大爬电距离设计,DBC绝缘电压大于2500VRMS


IGBT三相全桥模块

型号

沟道

Vces
(Max)

Vges

Vge(th) 
典型值

Ic
(80度)

Icm
(MAX)

Pd
(MAX)

封装

说明

应用领域

KDG25R12KE3

N-IGBT

1200V

20V

5.3V

25A

50A

220W

EconoPIM2
模块

IGBT逆变低饱和电压,
低开关损耗,低漏电感,
高抗短路能力

工业逆变/
伺服系统

KDG40R12KT3

N-IGBT

1200V

20V

5.2V

40A

80A

255W

EconoPIM2
模块

IGBT逆变低饱和电压,
低开关损耗,低漏电感,
高抗短路能力
工业逆变/
伺服系统


 

深圳市华之美半导体有限公司 Copyright © 2005-2012

粤ICP备12016653号