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华之美半导体MOS管型号选型指南
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电动车专用MOSFET选择指南

电动车

电动二轮车(小功率)

电动三轮车(中功率)

电动汽车(大功率)

 控制器

6管/9管/12管

12管/15管/18管

12管/24管/36管

48V

HM70N75/HM70N78/HM70N80A HM70N88/HM71N90/HM75N80

HM71N90/HM3307

HM1607/HM3207/B

60V/64V

HM85N80/HM85N90

HM3307

HM3808/HM2907

72V

HM2807/HM4030

HM4030/HM4310

HM4310/HM4110

电动车专用MOSFET参数

48V控制器专用:

 

 HM70N75 

 HM70N78 

 HM70N80A

 HM70N88

 HM71N90

  HM75N80

 HM3307

 HM3207B 

 HM3207

 VDS

 70V

 70V

 70V

70V

 71V

 75V

 80V

 70V

 75V

 Id

 75A

 78A

 80A

 88A

 90A

 80A

 110A

 180A

 210A

 Ron

 6.9mR

 5.8mR

 5.5mR

 4.8mR

 5.9mR

 6.5mR

 7.0mR

 2.7mR

 2.9mR

60~64V控制器专用:

 

HM85N80

HM85N90

 HM3307

HM3808

HM2907

VDS

85V

82V

80V

80V

80V

Id

80A

90A

110A

150A

180A

Ron

6.8mR

7.5mR

7.0mR

3.6mR

3.0mR


72V控制器专用:

 

 HM2807

 HM4030

 HM4310

 HM4110

 VDS

 100V

 100V

 100V

 100V

 Id

 100A

 118A

 140A

 170A

 Ron

 9.9mR

 6.2mR

 6.2mR

 4.5mR


备注:标注的Id电流是MOS芯片的最大电流,实际使用时的最大电流还要受TO-220封装的最大电流限制。客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑TO-220封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。

T0-220 Package(HM85N80)

MOSFET温升对比实验(HM85N80)

注:该实验模拟电动车在持续爬坡过程中MOS管HM85N80的温升情况,温度取样点:MOS管散热片

可靠性实验(HM85N80)

- HTRB可靠性试验:环境温度150C下,漏电电压80% Vds,继续通电1000小时,80颗全通过
- HTGB可靠性试验:环境温度150C下,栅极电压80% Vgs,继续通电1000小时,80颗全通过
- 控制器高温试验:64V12管限流值28A电机500W,控制器所处环境温度80C下,正常加载持续老化48小时通过
- 控制器短路试验:A,B,C三相各短路30次全通过
- 控制器堵转试验:100次通过

产品特征

- 低导通电阻,低栅极电荷
- 高散热能力;高结温下,大电流持续导通能力
- 高EAS能力(100% UIS测试)
- 电参数高度一致性和重复性。(芯片在国际一流8英寸芯片代工厂生产+成品在国内顶尖的封测厂封装)
- 特殊制程,高防静电能力(ESD)

货源保证

- 稳定持续的大量供货能力

 

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