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应用注意事项


对于LDO/DC-DC 电源IC和线性/DC-DC LED驱动IC 来说:

输入注意加大电容滤波稳压,小电容去除尖峰电压。
输出注意加大电容滤波稳压。
输入输出电容都要距离IC的管脚尽量近些。
有必要的话需要在输入端接钳位二极管做钳位保护。


对于充电IC来说:
输入端和BAT脚需要注意加大电容滤波稳压,小电容去除尖峰电压。(有必要的话需要在输入端/BAT脚接钳位二极管做钳位保护)
输入端和BAT脚的电容都要距离IC的管脚尽量近些。


对于马达驱动IC来说:
电源输入端需要加大电容220uF-470uF滤波稳压,小电容0.1uF去除尖峰电压和吸收瞬间浪涌电流。
马达/电机负载之间(IC的输出管脚之间)需要接小电容0.1uF去除尖峰电压和吸收瞬间浪涌电流。

以上电容都要距离IC的管脚尽量近些。
有必要的话需要在输入端接钳位二极管做钳位保护。

电感注意要用带磁芯的绕线式功率电感的,尽量选电流大、内阻小的电感。
电感的温升电流/饱和电流要留余量,要大于可以过的最大电流。电感的功率也要大于输出功率。

ESOP8/DFN2X2-6L/DFN2X2-8L/DFN3X3-8L封装,底部带散热片的,注意要做好IC底部和PCB的散热。

EMC方面有以下措施供参考,具体参数还是需要调试:
1.确保线路在负载状态下电感工作波形是标准方波,不要有振铃与波形抖动问题,如有需要消除之。
2.确保负载状态电感工作波形是标准方波之后再加以下滤波部分:
a. 输入电容和输出电容都增加104电容做吸收。
b. 电感用屏蔽电感,减小对外辐射。
c. 电感网络对地加电容串电阻下地,做高频吸收。(电阻值2欧--10K,电容值102--104,需要调试决定:电阻值逐渐减小,容值逐渐增大,直到EMI测试过并且余量足够就可以了)

回流焊:最高温度不超过260度@最长时间不超过30秒
波峰焊:最高温度不超过240度@最长时间不超过5秒



MOS管应用注意事项


1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。
3. 建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上。


4. MOS 电路操作注意事项:
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。