型号	沟道	Vces (Max)	Vges	Vge(th)  典型值	Ic (80度)	Icrm (80度)	Pd (MAX)	封装	应用领域
SSGG50-12CS1	N-IGBT	1200V	20V	6V	50A	100A	220W	94×34×30.5 模块	AC和DC 电机控制/变频器/ UPS/工业加热电源/电焊机
SSGG75-12CS1	N-IGBT	1200V	20V	6V	75A	150A	220W	94×34×30.5 模块	AC和DC 电机控制/变频器/ UPS/工业加热电源/电焊机
SSGG100-12CS1	N-IGBT	1200V	20V	6V	100A	200A	220W	94×34×30.5 模块	AC和DC 电机控制/变频器/ UPS/工业加热电源/电焊机
SSGG150-12CS2	N-IGBT	1200V	20V	6V	150A	300A	220W	107.5×62×31 模块	AC和DC 电机控制/变频器/ UPS/工业加热电源/电焊机
SSGG200-12CS2	N-IGBT	1200V	20V	6V	200A	400A	220W	107.5×62×31 模块	AC和DC 电机控制/变频器/ UPS/工业加热电源/电焊机
SSGG300-12CS2	N-IGBT	1200V	20V	6V	300A	600A	220W	107.5×62×31 模块	AC和DC 电机控制/变频器/ UPS/工业加热电源/电焊机

优点说明：采用的SPT芯片技术（软穿通），MOS输入控制，采用ABB超薄IGBT芯片，大电流低损耗,更低的拖尾电流,VCE饱和电压更低,正温度系数,更易于并联使用,高开关频率和更低开关损耗,高抗短路能力，优化的EMC特性，模块大爬电距离设计，DBC绝缘电压大于2500VRMS


IGBT三相全桥模块

型号	沟道	Vces (Max)	Vges	Vge(th)  典型值	Ic (80度)	Icm (MAX)	Pd (MAX)	封装	说明	应用领域
KDG25R12KE3	N-IGBT	1200V	20V	5.3V	25A	50A	220W	EconoPIM2 模块	IGBT逆变低饱和电压， 低开关损耗，低漏电感， 高抗短路能力	工业逆变/ 伺服系统
KDG40R12KT3	N-IGBT	1200V	20V	5.2V	40A	80A	255W	EconoPIM2 模块	IGBT逆变低饱和电压， 低开关损耗，低漏电感， 高抗短路能力	工业逆变/ 伺服系统