单P沟道低压MOS场效应管
型号 | 沟道 |
VDS (Max) |
VGS |
VTH (Typ) |
ID (Max) |
IDM |
RDS(on) (Max) |
封装 | 直接替代型号 |
HM6409 | P沟道 | -20V | -12V | -0.7V | -5.0A | -20A | 39mΩ | SOT23-6L | AO6409/A/AO6411/AO6415 |
HM6401 | P沟道 | -30V | -20V | -1V | -5.0A | -30A | 50mΩ | SOT23-6L |
AO6401/Si3481/APM2605/AO6405 Si3455/SI3457/FDC634P/FDC636P |
双P沟道低压MOS场效应管
型号 |
沟道 |
VDS |
VGS |
VTH |
ID |
IDM |
RDS(on) |
封装 |
直接替代型号 |
HM6801 |
双P沟道 |
-30V |
-20V |
-1.6V |
-2.5A |
-10A |
72mΩ |
SOT-26 |
AO6801/AO6801A |
HM6803 |
双P沟道 |
-20V | -12V | -0.65V | -3A | -10A | 65mΩ | SOT-26 | AO6803 |
单N沟道低压MOS场效应管
型号 | 沟道 |
VDS (Max) |
VGS |
VTH (Typ) |
ID (Max) |
IDM |
RDS(on) (Max) |
封装 | 直接替代型号 |
HM6408 | N沟道 | 20V | 12V | 0.65V | 5.5A | 22A | 22mΩ | SOT23-6L | AO6408/AO6404/AO6422 |
HM6400 | N沟道 | 30V | 12V | 0.9V | 6.9A | 30A | 25mΩ | SOT23-6L | AO6400/SI3456/AP2602/AO6404 |
双N沟道低压MOS场效应管
型号 | 沟道 |
VDS (Max) |
VGS |
VTH (Typ) |
ID (Max) |
IDM |
RDS(on) (Max) |
封装 | 直接替代型号 |
HM8205 | 双N沟道 | 19.5V | 10V | 0.7V | 4A | 16A | 21mΩ | SOT-26 |
AO8205/CEM8205 APM8205/AP8205 |
HM8810E |
双N沟道 带ESD保护 |
20V | 12V | 0.7V | 7A | 30A | 15mΩ | SOT-26 |
AO8810/AO8820/AO8822 SSF2418E/SSF2816E |
HM8810S/A | 双N沟道 | 20V | 12V | 0.65V | 7A | 30A | 18mΩ | SOT-26 |
AO8810/AO8820/AO8822 SSF2418E/SSF2816E |
HM6800 | 双N沟道 | 30V | 20V | 1.5V | 3.6A | 15A | 40mΩ | SOT-26 |
AO6800/AO6802 AO6804A/AO6810 |
HM6804 | 双N沟道 | 20V | 10V | 0.7V | 3.0A | 10A | 30mΩ | SOT-26 | AO6804A |
HM7002DM | 双N沟道 | 60V | 20V | 1.6V | 0.115A | 0.8A | 7.5Ω | SOT-26 | 2N7002DM |
N+P沟道低压MOS场效应管
型号 | 沟道 |
VDS (Max) |
VGS |
VTH (Typ) |
ID (Max) |
IDM |
RDS(on) (Max) |
封装 | 直接替代型号 |
HM6602 | N+P沟道 | 30V/-30V | 20V/-20V | 1.5V/-1.6V |
3.6A/ -2.5A |
15A/ -10A |
40mΩ/ 72mΩ |
SOT23-6L |
AO6602/AO6604/SI3552 FDC6333/FDC6327/FDC6420 |
HM6604 | N+P沟道 | 20V/-20V | 12V/-12V | 0.75/-0.7V |
3A/ -3A |
13A/ |
35mΩ/ 78mΩ |
SOT23-6L | AO6604 |