全桥驱动MOS_深圳市华之美半导体有限公司

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全桥驱动MOS

型号	工艺	封装	沟道/ 结构	VDS(Max) (N/P) (BVDSS(V)	ID(Max) (N/P) (ID(A))	IDM (N/P)	VTH (Typ) (N/P)	VGS (N/P)	RDS(ON) @+/-10VTyp (mΩ) (N/P)	RDS(ON) @+/-4.5VTyp (mΩ)(N/P)	RDS(ON) @+/-2.5VTyp (mΩ)(N/P)
HM4922	沟槽工艺 (Trench)	SOP8	2N+2P 沟道	20V/ -20V	12A/-7A	36A/ -21A	0.7V/ -0.68V	12V/ -12V		5.2mΩ/23mΩ	6.8mΩ/28mΩ
HM4923	沟槽工艺 (Trench)	SOP8	2N+2P 沟道	30V/ -30V	12A/-8A	36A/ -24A	2.0V/ -2.0V	12V/ -12V	12mΩ/30mΩ	14mΩ/55mΩ
HM4924	沟槽工艺 (Trench)	SOP8	2N+2P 沟道	40V/ -40V	10A/-6A	30A/ -18A	2.0V/ -2.0V	12V/ -12V	17mΩ/45mΩ	22mΩ/65mΩ
HM4926	沟槽工艺 (Trench)	SOP8	2N+2P 沟道	60V/ -60V	5A/-5A	15A/ -15A	2.0V/ -2.0V	12V/ -12V	34mΩ/85mΩ	46mΩ/135mΩ
HM4920	沟槽工艺 (Trench)	SOP8	2N+2P 沟道	100V/ -100V	4A/-3A	12A/ -12A	2.0V/ -2.0V	12V/ -12V	150mΩ/300mΩ	160mΩ/330mΩ