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Sic(碳化硅)MOS

型号
沟道
VDS
(Max)
VGS
VTH
ID
(Max)
IDM
(Max)
RDS
(on)
(Max)
Ciss
Ciss
Ciss
Tj
Rθjc
Rθja
封装
HMM18N120T
N沟道
1200V
-10V/
+25V
2.4V
18A
40A
160 mohm
890 pF
54 pF
8.5 pF
-55-
150 ℃
0.9 ℃/W 40 ℃/W
TO-247-3L