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GaN(氮化镓)FET

型号
沟道
结构

VDS

(Max)

VTH

ID

(Max)

RDS

(on)

(Max)
Qg
Qrr
Ciss
Coss
Crss
Tj
Rθjc
Rθja
封装
HMN9N65D/Q

N

沟道

级联
结构
(D-mode)
内置
Si MOS
650V
1.65V
9A

220

mohm

18

nC

50

nC

1150

pF

25

pF

1pF

-55-

150 ℃

4.5℃
/W
50℃
/W
DFN8X8-2L
DFN5X6-2L
HMN20N65

N

沟道


650V
1.65V
20A
120
mohm

20

nC

46

nC

1250

pF

48

pF

2pF

-55-

150 ℃

1.28℃
/W
50℃
/W
TO-220
HMN20N65D

N

沟道


650V
1.65V
20A
125
mohm

20

nC

56

nC

1050

pF

56

pF

2pF

-55-

150 ℃

1.8℃
/W
50℃
/W
DFN8*8-2L