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GaN(氮化镓)FET
|
型号 |
沟道 |
结构 |
VDS (Max) |
VTH |
ID (Max) |
RDS (on)
(Max)
|
Qg |
Qrr |
Ciss |
Coss |
Crss |
Tj |
Rθjc |
Rθja |
封装 |
|
HMN9N65D/Q |
N 沟道 |
级联
结构
(D-mode)
内置
Si MOS |
650V |
1.65V |
9A |
220 mohm |
18 nC |
50 nC |
1150 pF |
25 pF |
1pF |
-55- 150 ℃ |
4.5℃
/W
|
50℃
/W
|
DFN8X8-2L
DFN5X6-2L
|
|
HMN20N65 |
N 沟道 |
|
650V |
1.65V |
20A |
120
mohm
|
20 nC |
46 nC |
1250 pF |
48 pF |
2pF |
-55- 150 ℃ |
1.28℃
/W
|
50℃
/W
|
TO-220 |
|
HMN20N65D |
N 沟道 |
|
650V |
1.65V |
20A |
125
mohm
|
20 nC |
56 nC |
1050 pF |
56 pF |
2pF |
-55- 150 ℃ |
1.8℃
/W
|
50℃
/W
|
DFN8*8-2L |