BMS/电动车/平衡车 SGT MOS_深圳市华之美半导体有限公司

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BMS/电动车/平衡车 SGT MOS

型号	工艺(Technology)	封装(Package )	沟道 (Polarity)	VDS(Max) (BVDSS(V)	ID(Max) (ID(A))	IDM	VTH (Typ)	VGS	RDS(ON) @10VTyp (mΩ)
HMS135N10/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263/ PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	100V	135A	405A	3.0V	±20	3.4mΩ
HMS120N10/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	100V	120A	360A	3.0V	±20	4.6mΩ
HMS85N10/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	100V	85A	255A	3.0V	±20	7.0mΩ
HMS80N10/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	100V	80A	240A	3.0V	±20	7.5mΩ
HMS135N85/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	85V	135A	405A	3.0V	±20	3.3mΩ
HMS120N85/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	85V	120A	360A	3.0V	±20	4.5mΩ
HMS100N85/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	85V	100A	300A	3.0V	±20	5.4mΩ
HMS80N85/D/G/K	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263 PDFN5X6-8L/TO-252	N沟道	85V	80A	240A	3.0V	±20	6.9mΩ
HMS100N15/D	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263	N沟道	150V	100A	300A	3.0V	±20	6.5mΩ
HMS100N20/D	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263	N沟道	200V	100A	300A	3.0V	±20	9.3mΩ
HMS80N25/D	SGT工艺(Split Gate)	TO-220/TO-263	N沟道	250V	80A	240A	3.0V	±20	18mΩ