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P沟道中压大电流MOS

型号

沟道

VDS
(Max)

VGS

VTH
(Typ)

ID
(Max)

IDM

RDS(on)
(Max)

封装

直接替代型号

HM30P16Q
 P沟道
 -16V
 -12V
 -0.7V
 -30A
 -60A
 10mΩ
 DFN3X3-8L

HM20P02Q/D

P沟道

-20V

-10V

-0.85V

-20A

-80A

21.5mΩ

DFN3X3-8L
DFN5X6-8L

AON7407

HM30P02K

P沟道

-20V

-10V

-0.8V

-30A

-90A

25mΩ

TO-252

AOD421

HM50P02/K

P沟道

-20V

-20V

-2.0V

-50A

-150A

8mΩ

TO-220
TO-252

HM45P02Q/D

P沟道

-20V

-12V

-0.6V

-45A

-135A

5.8mΩ

DFN3X3-8L
DFN5X6-8L

AON6411

HM70P02D

P沟道

-20V

-10V

-0.6V

-70A

-280A

2.3mΩ

DFN5X6-8L

AON6411

HM85P02D

P沟道

-20V

-10V

-0.6V

-85A

-340A

2mΩ

DFN5X6-8L

HM85P02/K

P沟道

-20V

-12V

-0.6V

-85A

-250A

5.8mΩ

TO-220
TO-252

HM25P03/K

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-25A

-75A

15mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD25P03/EMB25P03

HM25P03Q

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-25A

-75A

15mΩ

DFN3X3-8L

AON7403

HM25P03D

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-25A

-75A

15mΩ

DFN5X6-8L

AON6405

HM30P03Q

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-30A

-90A

14mΩ

DFN3X3-8L

AON7403
HM7409Q P沟道
 -30V
 -20V
 -1.3V
 -30A
 -100A
 8.1mΩ
 DFN3X3-8L
 AON7403

HM35P03D

P沟道

-30V

-20V

-1.75V

-35A

-105A

8mΩ

DFN5X6-8L

AON6405/AON6435/AON6413
HM40P03Q/D
 P沟道
 -30V
 -20V
 -1.5V
 -40A
 -120A
 8.9mΩ
 DFN3X3-8L
DFN5X6-8L
 AON6405/AON6435/AON6413

HM35P03/K

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-35A

-115A

11.5mΩ

TO-220
TO-252

SUD45P03/AOD417/AOD4185
AOD4189/AOD413A/SUD35P03
EMB35P03

HM35P03KA

P沟道

-30V

-20V

-1.0V

-35A

-115A

11.5mΩ

TO-252

SUD45P03/AOD417/AOD4185
AOD4189/AOD413A/SUD35P03
EMB35P03

HM45P03/K

P沟道

-30V

-20V

-1.75V

-45A

-135A

8.0mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD45P03/EMB45P03

HM50P03/K

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-50A

-150A

7.5mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD50P03/EMB50P03

HM50P03D

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-50A

-150A

6mΩ

DFN5X6-8L

AON6405/AON6435/IRFH9310/
ME7609D

HM70P03/K

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-70A

-210A

7.0mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD70P03/EMB70P03

HM70P03A/KA

P沟道

-30V

-20V

-1.0V

-70A

-210A

6.0mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD70P03/EMB70P03

HM85P03/K

P沟道

-30V

-25V

-0.65V

-85A

-250A

6.0mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD85P03/EMB85P03

HM100P03/K

P沟道

-30V

-20V

-1.5V

-100A

-300A

6.0mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD100P03/EMB100P03
HM50P35DE
 P沟道
带ESD
保护
 -35V
 -20V
 -2.5V
 -50A
 -150A
 5.5mΩ
 DFN5X6-8L
 AON6405/AON6435/IRFH9310/
ME7609D
HM100P35E/
KE
 P沟道
带ESD
保护
 -35V
 -20V
 -2.5V
 -100A
 -300A
 5.5mΩ
 TO-220
TO-252
 AOD4185/AOD4189/AOD413A

HM25P04K

P沟道

-40V

-20V

-2.0V

-25A

-100A

30mΩ

TO-252

AOD413A

HM25P04D

P沟道

-40V

-20V

-1.9V

-25A

-75A

10mΩ

DFN5X6-8L

HM35P04D

P沟道

-40V

-20V

-1.9V

-35A

-105A

7.5mΩ

DFN5X6-8L

HM40P04/K

P沟道

-40V

-20V

-1.9V

-40A

-120A

10mΩ

TO-220
TO-252

AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD50P04/EMB40P04

HM70P04/K

P沟道

-40V

-20V

-1.9V

-70A

-210A

7.5mΩ

TO-220
TO-252

ME70P04/IPI70P04
AOD403/IRF4905

HM15P55K

P沟道

-55V

-20V

-2.6V

-15A

-50A

60mΩ

TO-252

AOD407/IRFR5505
IRFR9024N/IRLR9343

HM15P55KA

P沟道

-55V

-20V

-1.6V

-15A

-50A

60mΩ

TO-252

AOD407/IRFR5505
IRFR9024N/IRLR9343

HM30P55/K/I

P沟道

-55V

-20V

-3.0V

-30A

-110A

30mΩ

TO-220
TO-252
TO-251

AOD413/SPP3095/IRFR5305/
IRFR9024/P1604ED/AP4435GH

HM30P55KA

P沟道

-55V

-20V

-1.6V

-30A

-110A

30mΩ

TO-252

AOD413/SPP3095/IRFR5305/
IRFR9024/P1604ED/AP4435GH
HM12P06K
 P沟道
 -60V
 -20V
 -2.0V
 -12A
 -36A
 85mΩ
 TO-252
 AOD407/IRFR5505/IRFR9024N
IRLR9343

HM25P06/K

P沟道

-60V

-20V

-2.9V

-25A

-75A

39mΩ

TO-220
TO-252

AOD407/AOD409

HM25P06D

P沟道

-60V

-20V

-1.9V

-25A

-75A

23mΩ

DFN5X6-8L

HM35P06/K
 P沟道
 -60V
 -20V
 -2.6V
 -35A
 -90A
 27mΩ
 TO-220
TO-252
 AOD407/AOD409

HM40P06K

P沟道

-60V

-20V

-2.6V

-40A

-160A

23mΩ

TO-252

ME50P06/SUP50P06/SUD50P06
IRF4905/MTD50P06/NTB50P06

HM50P06/K

P沟道

-60V

-20V

-1.9V

-50A

-150A

23mΩ

TO-220
TO-252

ME50P06/SUP50P06/SUD50P06
IRF4905/MTD50P06/NTB50P06

HM55P06/K
 P沟道
 -60V
 -20V
 -2.0V
 -55A
 -165A
 20mΩ
 TO-220
TO-252
 ME50P06/SUP50P07/SUD50P06/
MTD50P06/NTB50P06T4G/
SUM50P06/SQM50P06/IRF4905
HM60P06/K
 P沟道
 -60V
 -20V
 -2.0V
 -60A
 -180A
 17mΩ
 TO-220
TO-252
 ME50P06/SUP50P07/SUD50P06/
MTD50P06/NTB50P06T4G/
SUM50P06/SQM50P06/IRF4905

HM10P10Q/D

P沟道
带ESD
保护

-100V

-20V

-1.9V

-10A

-40A

85mΩ

DFN3X3-8L
DFN5X6-8L


HM15P10D

P沟道
带ESD
保护

-100V

-20V

-1.9V

-15A

-60A

45mΩ

DFN5X6-8L

HM13P10/K/I

P沟道
带ESD
保护

-100V

-20V

-1.9V

-13A

-52A

170mΩ

TO-220
TO-252
TO-251

STP13P10//FQP13P10/AOD407/
IRFR5410/IRFR9120N/FQD13P10/
AP13P10GS/UTT13P10/IRF9540/
ME13P10

HM18P10/K/L

P沟道
带ESD
保护

-100V

-20V

-1.9V

-18A

-72A

85mΩ

TO-220
TO-252
TO-251S

STP18P10//FQP18P10/AOD407/
IRFR5410/IRFR9120N/FQD18P10/
AP18P10GS/UTT18P10/IRF9540/
ME16P10

HM30P10/K/L

P沟道
带ESD
保护

-100V

-20V

-1.9V

-30A

-120A

45mΩ

TO-220
TO-252
TO-251S

STP30P10/FQP30P10/AOD407/
IRFR5410/IRFR9120N/CMP5950/
CED30P10/ IXTS30P10/2SJ656

HM25P15/D/K

P沟道

-150V

-20V

-1.9V

-25A

-100A

120mΩ

TO-220
TO-263
TO-252

STP25P15/FQP25P15/IRFR5410/
IRFR9120N/CMP5950/CED25P15/
IXTS25P15/2SJ656


N+P沟道中压大电流MOS

型号

沟道

VDS
(Max)

VGS

VTH
(Typ)

ID
(Max)

IDM

RDS(on)
(Max)

封装

直接
替代型号

HM607K

N+P沟道

30V/-30V

20V/-20V

2.0V/-1.8V

25A/-19A

90A/-60A

8.5mΩ/28mΩ

TO-252-4L

AOD607

HM609K

N+P沟道

40V/-40V

20V/-20V

2.0V/-2.0V

20A/-15A

35A/-28A

16mΩ/25mΩ

TO-252-4L

AOD609

HM609BK

N+P沟道

40V/-40V

20V/-20V

2.5V/-2.5V

23A/-20A

40A/-46A

25mΩ/35mΩ

TO-252-4L

AOD609

HM603K

N+P沟道

60V/-60V

20V/-20V

1.6V/-1.5V

20A/-12A

60A/-30A

30mΩ/100mΩ

TO-252-4L

AOD603

HM603AK

N+P沟道

60V/-60V

20V/-20V

1.8V/-1.8V

16A/-12A

28A/-25A

40mΩ/50mΩ

TO-252-4L

AOD603A

HM603BK

N+P沟道

60V/-60V

20V/-20V

2.5V/-2.5V

23A/-18A

46A/-36A

28mΩ/65mΩ

TO-252-4L

AOD603

HM610AK

N+P沟道

100V

25V

4.5V

8A/-5A

28A/-25A

130mΩ/170mΩ

TO-252-4L


备注：
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻最小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

我司的HM75N80/HM71N90/HM85N80/HM85N90/HM70N80/HM80N70/HM2807/HM3710/HM3205/HM3207/HM1404/HM50N06/HM50N03/HM80N03/HM10N10/HM17N10/HM25N10等中压大电流MOS的优点：

耐压高耐电流大，内阻小，出厂前全部都有做热阻、雪崩参数的测试，出电动车/逆变器/HID/电焊机/电磁炉等市场品质没有问题的，一直都有在批量出货的。


产品应用：  
1.电动车控制板  
2.电动工具  
3.HID  
4.逆变器  
5.UPS/通信电源  
6.变频器  
7.氙灯

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